設備簡介：
Picosun是致力于ALD原子層沉積設備的世界知名設備提供商， 產品涵蓋2”~ 12”主流ALD工藝，廣泛應用于三五族(GaN / SiC )功率及射頻器件、VCSELs器件等化合物產業，以及MEMS和Si基半導體產業。
Picosun是致力于ALD原子層沉積設備的世界知名設備提供商， 產品涵蓋2”~ 12”主流ALD工藝，廣泛應用于三五族(GaN / SiC )功率及射頻器件、VCSELs器件等化合物產業，以及MEMS和Si基半導體產業。
◆配置：2”~12” 手動設備/ 全自動設備(片盒對片盒) / 全自動多腔設備(片盒對片盒搭配星型平臺)
◆領域 : 三五族(GaN / SiC )功率及射頻器件、VCSELs器件等化合物產業，以及MEMS和Si基半導體產業，及Mini LED / Micro LED產業等
◆ALD原子層沉積的主要材料：
?氧化物：Al2O3, AlxTiyOz, HfO2, In2O3, MgO, SiO2, SrTiOx, Ta2O5, TiO2, Y2O3, ZnO, ZnO:Al, ZrO2, La2O3, CeO2,
?氮化物：AlN, TiAlCN, TiN, TaNx, …
?金屬：Ir, Pd, Pt, Ru, …
?親水層或者疏水層：FDTS…
◆ Picosun公司有多年研發ALD設備的技術經驗，團隊的主要技術人員由ALD技術的發明人Dr. Tuomo Suntola來帶領。
◆Picosun ALD設備具有高穩定性與高可靠度
◆Picosun ALD設備具有成熟的軟硬件設計及完善QC系統
◆Picosun ALD設備配置靈活，包含手動、半自動、全自動多腔片盒對片盒)型號滿足實驗室研發及量產客戶需求
◆Picosun ALD設備在化合物半導體行業，MEMS行業，Micro LED / Micro OLED行業均有較高的占有率。
◆Picosun ALD設備主要技術優勢：
?高深寬比的圖形電鍍能力，有成功案例用于深寬比>1000:1的圖形ALD工藝；
?ALD工藝的鍍膜均勻性一致性較佳；
?ALD工藝的step coverage較佳；
?設備的高穩定性， uptime > 90%。
◆ 三五族化合物半導體(SiC，GaN功率及射頻器件)
◆ MEMS微機電
◆ Si基的CMOS器件
◆ Micro LED
◆ Micro OLED
Copyright &2020 新耕（上海）貿易有限公司 所權所有 All rights reserved 滬ICP備18040501號-1 
滬公網安備：31011502008589 技術支持：助標網絡
